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硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無損紅外檢測

對太陽能電池/組件加載電壓后，使之發(fā)光，再利用近紅外相機攝取其發(fā)光影像，因電致發(fā)光亮度正比于少子擴散長度，缺陷處因具有較低的少子擴散長度而發(fā)出較弱的光，從而形成較暗的影像。